BASiC?基半股份一級代理商傾佳電子楊茜全力推進SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊，實現(xiàn)電力電子產(chǎn)業(yè)升級和自主可控！為什么在儲能變流器PCS應(yīng)用中碳化硅SiC碳化硅模塊全面革掉IGBT模塊的命！IGBT模塊在十幾 kHz開關(guān)頻率中就會表現(xiàn)出嚴重的局限性，由于IGBT模塊尾電流導(dǎo)致?lián)p耗較大。使用 SiC-MOSFET模塊，開關(guān)頻率增加，從而減小了濾波器體積。SiC 模塊允許在數(shù)十和數(shù)百 kHz 的頻率下運行，開關(guān)損耗相對較低，從而顯著減少了濾波器和散熱熱系統(tǒng)的體積。這些技術(shù)進步使變流器總體積大幅度減少，效率提高，從而能夠在較低溫度下運行并可能延長組件的使用壽命。為了滿足PCS儲能變流器更高效的需求，使用基本公司碳化硅SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊，可以提升系統(tǒng)效率1%，... [詳細介紹]